机译:半导体元件的生产例如晶体管包括在晶片中在有源区下方从后侧在晶片中形成凹槽。处理在凹槽底部露出的晶圆区域,并在晶格上方切割晶圆
公开/公告号DE10129346A1
专利类型
公开/公告日2003-01-09
原文格式PDF
申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;
申请/专利号DE2001129346
发明设计人 RUEB MICHAEL;
申请日2001-06-19
分类号H01L21/306;H01L21/336;H01L21/784;H01L29/78;H01L21/301;
国家 DE
入库时间 2022-08-21 23:42:54