首页> 外国专利> INCREASING THERMAL CONDUCTIVITY OF THERMAL INTERFACE USING CARBON NANOTUBES AND CVD

INCREASING THERMAL CONDUCTIVITY OF THERMAL INTERFACE USING CARBON NANOTUBES AND CVD

机译:使用碳纳米管和CVD增加热界面的热导率

摘要

The invention relates to a structure of and a process of forming an integrated circuit package that utilizes a thermal interface material layer having an aligned array of carbon nanotubes affixed to a surface of the layer. The thermal interface material is diamond deposited by chemical vapor deposition. The carbon nanotubes are formed by a plasma discharge process on the surface of the CVDD and also may be formed on the surface of the die.
机译:本发明涉及一种集成电路封装的结构和形成方法,该集成电路封装利用热界面材料层,该热界面材料层具有固定在该碳纳米管表面上的碳纳米管的排列阵列。热界面材料是通过化学气相沉积法沉积的金刚石。碳纳米管通过等离子体放电工艺形成在CVDD的表面上,并且也可以形成在管芯的表面上。

著录项

  • 公开/公告号AU2003237548A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号AU20030237548

  • 申请日2003-06-10

  • 分类号H01L23/373;

  • 国家 AU

  • 入库时间 2022-08-21 23:03:23

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号