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Tunable semiconductor laser to operate with a photonic crystal/resonator mirror has a resonator structure and a resonator final mirror

机译:可与光子晶体/谐振器镜配合工作的可调半导体激光器,具有谐振器结构和谐振器最终镜

摘要

Divided into sections (1a,1b,1c), a resonator structure has an active layer (2) for generating beams and transversal/lateral wave ducts. Different length dimensions and grating structures (9a,9b) for them cause mode separations to differ from each other by 7 to 10 percent. Photonic crystals (6) are integrated as longitudinal and, if required, lateral restrictions on the resonator structure. An Independent claim is also included for a method for producing a semiconductor laser.
机译:谐振器结构分为部分(1a,1b,1c),具有用于产生波束和横向/横向波导管的有源层(2)。不同的长度尺寸和光栅结构(9a,9b)导致模式间隔彼此相差7%至10%。光子晶体(6)作为谐振器结构的纵向和横向限制集成。还包括用于制造半导体激光器的方法的独立权利要求。

著录项

  • 公开/公告号DE10254909A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-06-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号DE2002154909

  • 发明设计人 MAHNKOPF SVEN;MAERZ REINHARD;

    申请日2002-11-25

  • 分类号H01S5/187;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:43:45

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