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Memory component repair method for determining a repair solution for a memory device in a test system tests areas of the memory device in sequence for error data

机译:用于确定测试系统中的存储设备的修复解决方案的存储组件修复方法,依次对存储设备的区域进行测试以获取错误数据

摘要

Error locations (FA) are generated from locations in memory areas and associated error data. Error location values indicate defective areas in a memory device (21). The error locations are stored in an error location memory (26) in a test system with a test device (20). Using the stored error locations determines a repair solution. Independent claims are also included for the following: (a) A test device for determining a repair solution for a memory device connected to the test device; (b) and for a test system with a test device; (c) and for a memory device with a test circuit.
机译:错误位置(FA)由存储区中的位置和相关的错误数据生成。错误位置值指示存储设备(21)中的缺陷区域。错误位置被存储在具有测试设备(20)的测试系统中的错误位置存储器(26)中。使用存储的错误位置可以确定修复方案。还包括以下各项的独立权利要求:(a)一种测试设备,用于确定与该测试设备连接的存储设备的修复方案; (b)以及带有测试装置的测试系统; (c)并且用于具有测试电路的存储设备。

著录项

  • 公开/公告号DE10307027A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号DE2003107027

  • 发明设计人 FRANKOWSKY GERD;

    申请日2003-02-20

  • 分类号G11C29/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:43:24

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