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Method for processing a substrate for surface treatment, e.g. rinsing, etching, polishing and cleaning, of silicon wafers comprises homogeneously selecting the speed of the process medium along the surface of the substrate

机译:用于处理例如表面处理的基材的方法硅片的冲洗,蚀刻,抛光和清洁包括均匀地选择处理介质沿基板表面的速度

摘要

Method for processing a substrate comprises homogeneously selecting the speed of the process medium along the surface of the substrate. An independent claim is also included for an immersion bath arrangement for processing a substrate.
机译:用于处理基板的方法包括均匀地选择处理介质沿着基板表面的速度。还包括用于处理基板的浸浴装置的独立权利要求。

著录项

  • 公开/公告号DE10313692A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-10-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RIETMANN WERNER;

    申请/专利号DE2003113692

  • 发明设计人 RIETMANN WERNER;

    申请日2003-03-26

  • 分类号B01J19/00;H01L21/306;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 22:43:27

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