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Fabrication of a metal electrode on a type II-VI semiconductor material by electrochemical deposition from a solution of the metal chloride in hydrochloric acid for radiation detectors

机译:通过电化学沉积金属氯化物在盐酸中的溶液,在II-VI型半导体材料上制造金属电极,用于辐射探测器

摘要

The fabrication of an electrode on a type II-VI semiconductor material or a compound of this material is formed by an electrochemical deposition of a metal from a metal chloride solution in hydrochloric acid.
机译:通过在盐酸中从金属氯化物溶液中电化学沉积金属来形成II-VI型半导体材料上的电极或这种材料的化合物。

著录项

  • 公开/公告号FR2844918A1

    专利类型

  • 公开/公告日2004-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 COMMISSARIAT A LENERGIE ATOMIQUE;

    申请/专利号FR20020011675

  • 发明设计人 PETROZ GERARD;

    申请日2002-09-20

  • 分类号H01L21/445;C25D7/12;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 22:39:26

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