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METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL ALPHA AND BETA SILICON NITRIDE NANORIBBONS

机译:制备单晶α和β-氮化硅纳米粒子的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing single crystal α and β silicon nitride nanoribbons useful as reinforcements for ceramics or metals.;SOLUTION: Single crystal α and β silicon nitride nanoribbons having a length of the order of several hundreds μm to mm, a width of 2 to 3 μ, and a thickness of 20 to 30 nm are produced by heating silicon monoxide powder at a high temperature in a nitrogen stream.;COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
机译:要解决的问题:提供一种生产单晶α的方法。和β氮化硅纳米带可用作陶瓷或金属的增强剂。和β通过在氮气流中在高温下加热一氧化硅粉末来生产长度为几百μm至mm,宽度为2-3μm,厚度为20-30nm的氮化硅纳米带。 。;版权:(C)2005,JPO&NCIPI

著录项

  • 公开/公告号JP2005170701A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE;

    申请/专利号JP20030409759

  • 发明设计人 JINTSUI FUU;BANDO YOSHIO;

    申请日2003-12-09

  • 分类号C30B29/38;B82B3/00;C01B21/068;C30B29/66;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 22:33:24

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