要解决的问题:提供具有高电荷迁移率和低关闭态泄漏电流的复合结构的聚噻吩基喹喔啉衍生物,提供其制备方法,并提供使用该方法的有机薄膜晶体管。聚噻吩基喹喔啉衍生物。
解决方案:提供一种有机薄膜晶体管,该有机薄膜晶体管使用通过将具有高电子亲和力即具有n半导体特性并同时显示p和n电特性的喹喔啉环制备的聚噻吩基喹喔啉衍生物。具有p半导体特性的聚噻吩,包括衬底,栅电极,栅绝缘层,有机活性层和源/漏电极。
版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2005171243A
专利类型
公开/公告日2005-06-30
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;
申请/专利号JP20040346312
申请日2004-11-30
分类号C08G61/12;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 22:33:12