首页> 外国专利> Method of reducing thick film stress of spin-on dielectric and the resulting sandwich dielectric structure

Method of reducing thick film stress of spin-on dielectric and the resulting sandwich dielectric structure

机译:降低旋涂电介质的厚膜应力的方法以及所得的夹心电介质结构

摘要

The present invention provides a technique to reduce a stress of thick spin-on dielectric layer by forming a sandwich dielectric structure, wherein a first dielectric layer is formed on a substrate by spin coating, a liquid phase deposited (LPD) silica layer is formed the first dielectric layer, and a second dielectric layer is formed on the LPD silica layer by spin coating. The LPD silica layer can be further subjected to a nitrogen plasma treatment to enhance its thermal stability and anti-water penetration ability.
机译:本发明提供了一种通过形成夹心电介质结构来减小厚的旋涂电介质层的应力的技术,其中,通过旋涂在基板上形成第一电介质层,在其上形成液相沉积(LPD)二氧化硅层。通过旋涂在LPD二氧化硅层上形成第一介电层和第二介电层。 LPD二氧化硅层可以进一步经受氮等离子体处理以增强其热稳定性和抗水渗透能力。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号