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METHOD FOR MANUFACTURING IMAGE SENSOR TO CONTROL DEPTH OF FOCUS USING DIFFERENT ETCH RATE ACCORDING TO PATTERN SIZE

机译:制造图像传感器以根据图案尺寸使用不同的刻蚀速率来控制焦点深度的方法

摘要

Purpose: a kind of method is provided to easily control DOF (depth of focus) by one top interlayer dielectric of etching for manufacturing an image sensor to form a concave shape. Construction: a photodiode (102) is formed in a substrate (100). Multiple metal lines and multiple layer insulations alternately form in composite structure. Top interlayer dielectric (122) is etched away to sort according to pattern by using different etch ratio one concave shape of formation. One nitride layer, white layer (118) is formed in top interlayer dielectric. A metal line (126) and a passivation layer (128) are sequentially formed on nitride layer, white layer. Then, a condensation portion (130) is formed in passivation layer.
机译:目的:提供一种方法,该方法通过蚀刻的一个顶部层间电介质容易地控制DOF(聚焦深度),以制造图像传感器以形成凹形。结构:在衬底(100)中形成光电二极管(102)。复合结构中交替形成多条金属线和多层绝缘层。通过使用不同的蚀刻率来蚀刻顶部中间层电介质(122)以根据图案分类,以形成一种凹形形状。在顶部层间电介质中形成一层氮化物层,即白层(118)。在氮化物层,白色层上依次形成金属线(126)和钝化层(128)。然后,在钝化层中形成冷凝部分(130)。

著录项

  • 公开/公告号KR20050020021A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD.;

    申请/专利号KR20030057656

  • 发明设计人 RYU SANG WOOK;

    申请日2003-08-20

  • 分类号H01L27/148;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:05:44

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