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METHOD FOR THE PREPARATION OF IRIDIUM NANOFILM WITH HIGH CHARGE INJECTION DENSITY, IRIDIUM NAMOFILM PREPARED THEREFROM AND ELECTRODE FOR STIMULATING NEURAL CELLS USING THE IRIDIUM NAMOFILM

机译:高电荷注入密度的铱纳米膜的制备方法,铱纳米膜的制备方法及使用铱纳米膜刺激神经细胞的电极

摘要

The present invention provides an iridium nano thin film, and for neuronal stimulation electrode having such a nano-iridium thin film produced by the method for producing a high iridium (Ir) thin film nano-charge input density, such a method.
机译:本发明提供一种铱纳米薄膜,以及用于神经元刺激电极的具有这种纳米铱薄膜的电极,该纳米铱薄膜通过用于产生高铱(Ir)薄膜纳米电荷输入密度的方法来生产。

著录项

  • 公开/公告号KR20050050964A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LEE IN SEOP;

    申请/专利号KR20030084636

  • 发明设计人 LEE IN SEOP;

    申请日2003-11-26

  • 分类号A61N1/04;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:05:14

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