要解决的问题:提供不仅从碳化硅的C面而且从其Si面产生和生长的碳纳米管及其制造方法;包括碳纳米管膜的基板,碳纳米管膜,以及不仅从碳化硅的C面而且从其Si面产生并生长有许多纳米管并且沿规定方向高度取向的碳纳米管膜。车身及其大量生产方法。
解决方案:此碳纳米管是通过对碳化硅的表面进行化学处理,然后在含有少量氧气的气氛中在一定温度下加热的方式从处理过的碳化硅中除去硅原子的温度而获得的,通过碳化硅表面的分解,从碳化硅表面到其内部生成并生长碳纳米管。
版权:(C)2004,日本特许厅
公开/公告号JP3836743B2
专利类型
公开/公告日2006-10-25
原文格式PDF
申请/专利权人 財団法人ファインセラミックスセンター;
申请/专利号JP20020096837
申请日2002-03-29
分类号C01B31/02;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:52:09