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Standard cells, LSI with the standard cells and layout design method for the standard cells

机译:标准单元,具有标准单元的LSI和标准单元的布局设计方法

摘要

In automatic placing and routing, a standard cell 101 is composed of a P-channel transistor region 102 and an N-channel transistor region 103. The P-channel transistor region 102 has a P-channel functional transistor forming region 104, and the N-channel transistor region 103 has an N-channel functional transistor forming region 105. In a space region of the N-channel transistor region 103 other than the N-channel functional transistor forming region 105, a power source capacitor forming region 106 is formed at a portion of the P-channel transistor region 102 opposing the P-channel functional transistor forming region 104. In this region, a power source capacitor is formed to suppress the IR-Drop of a power source wiring line.
机译:在自动放置和布线中,标准单元 101 由P沟道晶体管区域 102 和N沟道晶体管区域 103组成。 P沟道晶体管区域 102 具有P沟道功能晶体管形成区域 104和,N沟道晶体管区域 103 >具有N沟道功能晶体管形成区域 105。 在N沟道晶体管区域 103 的除N沟道功能晶体管形成区域 105以外的空间区域中,电源电容器形成区域 104相对的P沟道晶体管区域 102 的一部分处形成> 106 在该区域中,形成电源电容器以抑制电源布线的IR-Drop。

著录项

  • 公开/公告号US2006054935A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ATSUSHI TAKAHATA;

    申请/专利号US20050224042

  • 发明设计人 ATSUSHI TAKAHATA;

    申请日2005-09-13

  • 分类号H01L29/73;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:47:44

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