首页> 外国专利> Saturation-resistant magnetoresistive sensor for ferromagnetic screening

Saturation-resistant magnetoresistive sensor for ferromagnetic screening

机译:用于铁磁屏蔽的抗饱和磁阻传感器

摘要

An MRI pre-screening apparatus having an applied field source and a saturation-resistant magnetoresistive sensor, wherein the applied field source is sufficiently strong to magnetize any anticipated ferromagnetic threat object but the sensor is not saturated by the applied magnetic field. The sensor can be made saturation-resistant by being constructed of non-magnetic materials. A flux concentrator can be implemented to increase sensor sensitivity.
机译:一种具有施加的场源和抗饱和磁阻传感器的MRI预筛查设备,其中,所述施加的场源足够强以使任何预期的铁磁威胁物体磁化,但是所述传感器不会由于施加的磁场而饱和。传感器可以通过非磁性材料制成,从而具有抗饱和性。可以实现通量集中器以提高传感器灵敏度。

著录项

  • 公开/公告号US2006139025A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FREDERICK J. JEFFERS;

    申请/专利号US20050102595

  • 发明设计人 FREDERICK J. JEFFERS;

    申请日2005-04-07

  • 分类号G01B7/30;H01L43/08;H01L43/02;H01L43/00;G01B7/14;H01L43/10;G01R33/06;H01L43/04;H01L43/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:47:02

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号