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Wideband Gaussian white noise source

机译:宽带高斯白噪声源

摘要

A white noise generator comprising a MOSFET operated in its linear region and having zero source-drain DC bias current. This is achieved by connecting the source or drain terminal of the MOSFET to a gate terminal of a MOSFET amplifier that may be implemented as a multi-stage differential amplifier. Such a noise source avoids the effect of DC current responsible for generating 1/f noise and has a small physical size that results in low parasitic capacitance of the device itself.
机译:一种白噪声发生器,包括在其线性区域中工作的MOSFET,并且源漏直流偏置电流为零。这是通过将MOSFET的源极端子或漏极端子连接到MOSFET放大器的栅极端子实现的,该MOSFET放大器可以实现为多级差分放大器。这种噪声源避免了产生1 / f噪声的DC电流的影响,并且物理尺寸小,导致设备本身的寄生电容低。

著录项

  • 公开/公告号US7129797B2

    专利类型

  • 公开/公告日2006-10-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GENNADY BURDO;

    申请/专利号US20040904328

  • 发明设计人 GENNADY BURDO;

    申请日2004-11-04

  • 分类号G06F7/58;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:42:32

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