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USE OF A CHALCOGEN PLASMA TO FORM CHALCOGENIDE SWITCHING MATERIALS FOR NANOSCALE ELECTRONIC DEVICES

机译：使用硫属等离子体形成用于纳米尺度电子设备的硫属化物交换材料

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A method of forming a metal chalcogenide. A metal is provided and exposed to a chalcogen plasma to form the metal chalcogenide.

机译：形成金属硫属化物的方法。提供金属并将其暴露于硫属元素等离子体中以形成金属硫属元素化物。

著录项

公开/公告号WO2006014249A2

专利类型
公开/公告日2006-02-09

原文格式PDF
申请/专利权人 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY L.P.;LI ZHIYONG;WANG SHIH-YUAN;
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申请/专利号WO2005US22698
发明设计人 WANG SHIH-YUAN;LI ZHIYONG;
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申请日2005-06-28
分类号H01L45/00;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 21:32:39

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