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SEED LAYER FOR A NICKEL OXIDE PINNING LAYER FOR INCREASING THE MAGNETORESISTANCE OF A SPIN VALVE SENSOR

机译:用于增加自旋阀传感器磁致电阻的氧化镍钉扎层的种子层

摘要

A bottom spin valve sensor employs a seed layer for a nickel oxide (NiO) antiferromagnetic pinning layer for the purpose of increasing magnetoresistance of the sensor (dR/R). The spin valve sensor can be a simple spin valve or an antiparallel (AP) spin valve sensor. In the preferred embodiment the seed layer is tantalum oxide TayOx or copper (Cu).
机译:底部自旋阀传感器采用用于氧化镍(NiO)反铁磁钉扎层的晶种层,目的是提高传感器的磁阻(dR / R)。自旋阀传感器可以是简单的自旋阀或反并联(AP)自旋阀传感器。在优选的实施例中,种子层是氧化钽TayOx或铜(Cu)。

著录项

  • 公开/公告号EP1135772B1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-10-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号EP19990956216

  • 发明设计人 PINARBASI MUSTAFA;

    申请日1999-11-26

  • 分类号G11B5/39;H01F10/32;G01R33/09;H01L43/08;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 21:31:41

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