首页> 外国专利> CLEANING CHEMICAL AND CLEANING METHOD FOR REMOVING ORGANIC MATERIAL IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS

CLEANING CHEMICAL AND CLEANING METHOD FOR REMOVING ORGANIC MATERIAL IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS

机译:化学机械抛光过程中的化学清洗方法及有机材料的清洗方法

摘要

A chemical mechanical polishing (CMP) and clean method are provided, using detergent use in organic removal in this step. According to the present invention, the chemical mechanical polishing of wafer surface is added to pure water and pure water is used to clean washing water and provides for cleaning with chemo-mechanical polishing agent containing a hydrophilic solvent (hydrophilic solvent) mobile organic remains in wafer surface.
机译:提供了化学机械抛光(CMP)和清洁方法,该步骤中使用了用于有机去除的清洁剂。根据本发明,将晶片表面的化学机械抛光添加到纯水中,并使用纯水来清洗洗涤水,并用包含亲水溶剂(亲水溶剂)的化学机械抛光剂清洗晶片中的可移动有机残留物。表面。

著录项

  • 公开/公告号KR20060076835A

    专利类型

  • 公开/公告日2006-07-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DONGBU ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR20040115188

  • 发明设计人 KIM HO YOUN;

    申请日2004-12-29

  • 分类号C11D3/43;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:25:18

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号