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Group III nitride crystal, crystal growth process and crystal growth apparatus of group III nitride

机译:III族氮化物晶体,III族氮化物的晶体生长工艺和晶体生长设备

摘要

A crystal growth method of a group III nitride includes the steps of forming a melt mixture of an alkali metal and a group III element in a reaction vessel, and growing a crystal of a group III nitride formed of the group III element and nitrogen from the melt mixture in the reaction vessel, wherein the step of growing the crystal of the group III nitride is conducted while controlling an increase rate of degree of supersaturation of a group III nitride component in the melt mixture in a surface region of the melt mixture.
机译:III族氮化物的晶体生长方法包括以下步骤:在反应容器中形成碱金属和III族元素的熔融混合物,并从所述反应容器中生长由III族元素和氮形成的III族氮化物的晶体。熔体混合物在反应容器中,其中在控制熔体混合物的表面区域中的熔体混合物中的III族氮化物组分的过饱和度的增加速率的同时,进行生长III族氮化物的晶体的步骤。

著录项

  • 公开/公告号US7220311B2

    专利类型

  • 公开/公告日2007-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HIROKAZU IWATA;SEIJI SARAYAMA;

    申请/专利号US20030702776

  • 发明设计人 HIROKAZU IWATA;SEIJI SARAYAMA;

    申请日2003-11-07

  • 分类号C30B9/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:01:08

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