首页> 外国专利> Dual gate FinFET radio frequency switch and mixer

Dual gate FinFET radio frequency switch and mixer

机译:双栅极FinFET射频开关和混频器

摘要

A method modifies dual gate transistor into a radio frequency switch. The method attaches a first signal input to a first gate of the transistor, attaches a second signal input to the source or drain of the transistor, attaches a common gate contact to the first gate and the second gate, attaches a signal output to a second gate of the transistor, attaches a source/drain contact connected to the source region or drain region where the second signal input is attached, and modulates the voltage supplied to the common gate and the source/drain contact to control the radio frequency switch.
机译:一种将双栅极晶体管修改为射频开关的方法。该方法将第一信号输入附接到晶体管的第一栅极,将第二信号输入附接到晶体管的源极或漏极,将公共栅极触点附接到第一栅极和第二栅极,将信号输出附接到第二栅极。晶体管的栅极,连接连接到第二信号输入所连接的源极区或漏极区的源极/漏极触点,并调制提供给公共栅极和源极/漏极触点的电压,以控制射频开关。

著录项

  • 公开/公告号US7177619B2

    专利类型

  • 公开/公告日2007-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 EDWARD J. NOWAK;

    申请/专利号US20050905874

  • 发明设计人 EDWARD J. NOWAK;

    申请日2005-01-25

  • 分类号H04B1/26;H01P1/10;H01L21/336;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:00:48

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号