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SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING SENSE AMPLIFIER OVER-DRIVING SCHEME AND METHOD FOR OVER-DRIVING SENSE AMPLIFIER THEREOF

机译:具有敏感放大器过度驱动方案的半导体存储器及其过度驱动敏感放大器的方法

摘要

The present invention is the actual performance of that memory block of meaning, and after the memory core area for dividing multiple memory blocks, providing a mean for decimated more electric currents only by super transmission amplifier prevents the semiconductor storage device of super transmission.
机译:本发明的意义在于该存储块的实际性能,并且在用于划分多个存储块的存储核心区域之后,仅通过超级传输放大器来提供用于抽取更多电流的平均值,从而防止了半导体存储设备的超级传输。

著录项

  • 公开/公告号KR20060123986A

    专利类型

  • 公开/公告日2006-12-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20050045669

  • 发明设计人 PARK JAE BOUM;LEE BYEONG CHEOL;

    申请日2005-05-30

  • 分类号G11C7/06;G11C7/08;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:43:01

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