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Printed Circuit Board of Dual In-line Memory Module and Dual In-line Memory Module using the same

机译:双列直插式内存模块的印刷电路板和使用该电路板的双列直插式内存模块

摘要

An inline memory module (IMM) architecture may include: a printed circuit board (PCB); a first array of memory devices on a first side of the PCB; a second array of memory devices on a second side of the PCB; at least some of the memory devices of the first array being arranged so as to substantially overlap, relative to a reference axis of the PCB, positional-twin memory devices of the second array, respectively; and multiple vias at least some of which are parts of respective signal paths that connect signal leads of a first memory device in the first array to corresponding signal leads of a second memory device in the second array that is adjacent to a positional-twin third memory device in the second array corresponding to the first memory device.
机译:嵌入式存储模块(IMM)架构可以包括:印刷电路板(PCB);在PCB的第一侧上的第一存储设备阵列;在PCB的第二侧上的第二存储设备阵列;布置第一阵列的至少一些存储器件以使其相对于PCB的基准轴基本上重叠,分别相对于第二阵列的位置孪生存储器件;多个通孔,其中至少一些是将第一阵列中的第一存储设备的信号引线连接到第二阵列中与位置孪生第三存储器相邻的第二存储设备的对应信号引线的相应信号路径的一部分第二阵列中与第一存储设备相对应的设备。

著录项

  • 公开/公告号KR100702016B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20050009709

  • 发明设计人 김문정;이종주;

    申请日2005-02-02

  • 分类号H05K1/11;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:32:34

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