首页> 外国专利> systems and methods for detecting focus variation in photolithograph process using test features printed from photomask test pattern images

systems and methods for detecting focus variation in photolithograph process using test features printed from photomask test pattern images

机译:使用从光掩模测试图案图像打印的测试特征来检测光刻过程中焦点变化的系统和方法

摘要

Systems and methods are provided for detecting focus variation in a lithographic process using photomasks having test patterns adapted to print test features with critical dimensions that can be measured and analyzed to determine magnitude and direction of defocus from a best focus position of an exposure tool during the lithographic process.
机译:提供了用于使用光刻胶来检测光刻工艺中的焦点变化的系统和方法,所述光刻胶具有适合于印刷具有关键尺寸的测试特征的测试图案,可以对所述关键特征进行测量和分析以确定从曝光工具的最佳聚焦位置散焦的幅度和方向。光刻工艺。

著录项

  • 公开/公告号KR100714480B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20060030741

  • 发明设计人 김호철;

    申请日2006-04-04

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:32:19

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号