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HIGH-POWER PULSED RF AMPLIFIER USING ELECTRON TUBE-SEMICONDUCTOR CASCODE CIRCUIT

机译:使用电子管-半导体激光器级联电路的高功率脉冲射频放大器

摘要

A high-power pulsed RF amplifier is provided to generate an RF output of high power as an RF output of low power by using an electrontube-semiconductor cascode circuit. A semiconductor switch(2) is connected to a cathode of an electrontube to constitute a cascode circuit. A power input member(13) applies a high voltage to an anode of the electrontube. A DC source input member(12) applies a DC power to plural auxiliary electrodes of the electrontube. A pulsed RF input member applies a pulsed RF driving power to the semiconductor switch. A pulsed RF output member(14) generates the pulsed RF output in the electrontube. An impedance matching member(15) controls impedance matching of the pulsed RF output.
机译:通过使用电子管-半导体共源共栅电路,提供了高功率脉冲RF放大器,以产生高功率的RF输出作为低功率的RF输出。半导体开关(2)连接到电子管的阴极以构成共源共栅电路。功率输入构件(13)向电子管的阳极施加高电压。直流电源输入部件(12)向电子管的多个辅助电极施加直流电源。脉冲RF输入构件向半导体开关施加脉冲RF驱动功率。脉冲RF输出构件(14)在电子管中产生脉冲RF输出。阻抗匹配构件(15)控制脉冲RF输出的阻抗匹配。

著录项

  • 公开/公告号KR100728086B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-06-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20030064026

  • 发明设计人 한승희;이연희;

    申请日2003-09-16

  • 分类号H03K3/543;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:31:57

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