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Analytic Structure For Failure Analysis Of Semiconductor Device And Method Of Failure Analysis Using The Same

机译:半导体器件故障分析的解析结构及使用该结构的故障分析方法

摘要

It provides a structure analysis and failure analysis method using the same for the failure analysis of the semiconductor device. This device is the semiconductor transistor, forming a plurality of analysis regions, the array structure disposed on a predetermined region of the semiconductor substrate is arranged on the semiconductor transistors, wherein the analysis region disposed in said analysis area in a transverse and longitudinal It includes word lines and bit lines connecting structure. At this time, the bit line structures are characterized by having a different structure for each of said analysis region.
机译:它提供了一种结构分析和故障分析方法,将其用于半导体器件的故障分析。该器件是半导体晶体管,形成多个分析区域,布置在半导体衬底的预定区域上的阵列结构布置在半导体晶体管上,其中布置在所述分析区域中的横向和纵向的分析区域包括词。线和位线的连接结构。此时,位线结构的特征在于对于每个所述分析区域具有不同的结构。

著录项

  • 公开/公告号KR100748552B1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20040102543

  • 发明设计人 이기암;권상덕;이종현;

    申请日2004-12-07

  • 分类号G11C5/06;G11C7/18;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 20:31:31

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