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Methods of modeling and parameter determination for an illumination distribution in photolithographic imaging of a mask on a semiconductor wafer supplies calculated illumination distributions

机译:半导体晶片上掩模的光刻成像中的照明分布的建模和参数确定方法可提供计算出的照明分布

摘要

A method of modeling an illumination distribution in a lighting pupil region of an imaging unit for a photolithographic image of a structure in a mask on a semiconductor wafer in which a known model is used comprises supplying calculated light distributions through at least one user-defined filter with the illumination distribution intensity lying between zero and 100%. Independent claims are also included for three methods for parameter determination for the method above.
机译:一种为使用已知模型的半导体晶片上的掩模中的结构的光刻图像对成像单元的光瞳区域中的照明分布进行建模的方法,该方法包括通过至少一个用户定义的滤镜提供计算出的光分布照明分布强度在零到100%之间。还包括针对上述方法的三种参数确定方法的独立权利要求。

著录项

  • 公开/公告号DE102005051824A1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号DE20051051824

  • 发明设计人 KUECHLER BERND;

    申请日2005-10-28

  • 分类号G03F7/20;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 20:29:38

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