首页> 外国专利> Use ofsilicon block process step to camouflage a false transistor 3-1 OPTICS - PATENTS 28/02/07 22:27:38 PAGE 26 UMBER: 6148 21 MARCH 2007 cations For Patents

Use ofsilicon block process step to camouflage a false transistor 3-1 OPTICS - PATENTS 28/02/07 22:27:38 PAGE 26 UMBER: 6148 21 MARCH 2007 cations For Patents

机译：使用硅块工艺步骤伪装错误的晶体管3-1光学-专利2007年2月28日22:27:38第26页编号：6148 2007年3月21日阳离子

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公开/公告号GB0702704D0

专利类型
公开/公告日2007-03-21

原文格式PDF
申请/专利权人 HRL LABORATORIES LLC;CHOW LAP-WAI;RAYTHEON COMPANY;HARBISON GAVIN J;CLARK WILLIAM M JR;BAUKUS JAMES P;
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申请/专利号GB20070002704
发明设计人
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申请日2003-11-20
分类号H01L23/58;H01L27/02;
国家 GB
入库时间 2022-08-21 20:26:34

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