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机译:用离子轰击表面层,将原子置换为薄膜磁性层,从而改变其磁性
公开/公告号GB2433362A8
专利类型
公开/公告日2007-06-25
原文格式PDF
申请/专利权人 INGENIA TECHNOLOGY LIMITED;
申请/专利号GB20060024980
发明设计人 COLM FAULKNER;RUSSELL P COWBURN;
申请日2006-12-14
分类号G11C11/14;C23C14/58;C23C16/56;H01F10/00;
国家 GB
入库时间 2022-08-21 20:26:05
机译: 用离子轰击表面层,将原子置换为薄膜磁性层,从而改变其磁性
机译: 测定磁性材料和薄膜表面层的力学和磁性能的方法
机译: 包括第一极层和第二层的薄膜磁头,其中包括第二层和薄膜线圈,该薄膜层的一部分设置在第二层和耦合部分之间,该薄膜磁头的制造方法及薄膜磁头的制造方法