要解决的问题:提供降低次卤酸的机理,该机理比以前更容易处理,并提供降低次卤酸的方法。
解决方案:次卤酸的减少机理具有电解室,该电解室具有由隔膜4分隔的阴极侧电解区2和阳极侧电解区8,其特征在于,含次卤酸的液体6将要处理的物质供给到阴极侧电解区2。降低次卤酸的方法包括以下步骤:使用具有被阴极侧电解区2和阳极侧电解区8分开的电解室。膜片4;并将含有待处理的含次卤酸的液体6供应至阴极侧电解区2。供应至阴极侧电解区的次卤酸被阴极还原/分解以产生卤素离子(氯离子,溴离子等),产生的卤素离子被阳极电吸引,穿过隔膜并转移到阳极侧电解区,以减少待处理液体中的次卤酸并提供给阴极侧电解区。
版权:(C)2008,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007307476A
专利类型
公开/公告日2007-11-29
原文格式PDF
申请/专利权人 OMEGA:KK;
申请/专利号JP20060138827
发明设计人 NAKAMURA SHINICHI;
申请日2006-05-18
分类号C02F1/461;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 20:21:31