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Source/Drain to Gate Capacitive Switches and Wide Tuning Range Varactors

机译:源极/漏极至栅极电容开关和宽调谐范围变容二极管

摘要

A two-terminal capacitive circuit element 100 includes a MOS transistor including a source 126 and drain 127 separated by a body region 131, and a gate 105 separated from the body 129 by a gate insulator layer 110, and a bypass capacitor 125. The gate node (port2; 115) is AC grounded through the bypass capacitor 125 and the source 126 and drain 127 are tied together (port-1; 120). By toggling the transistor on and off using an appropriate gate to body voltage, the capacitance of the capacitive circuit element 100 between port-1 and port-2 significantly changes.
机译:二端电容电路元件 100 包括MOS晶体管,该MOS晶体管的源极 126 和漏极 127 被主体区 131 <分开。 / B>,以及通过栅极绝缘层 110 与主体 129 分开的栅极 105 和旁路电容器 125 < / B>。栅极节点(端口 2; 115 )通过旁路电容器 125 和源极 126 和漏极 127 接地。 B>连接在一起(端口- 1; 120 )。通过使用适当的栅极到体电压来开关晶体管,电容电路元件 100 的电容在端口 1 和端口- 2 有明显变化。

著录项

  • 公开/公告号US2008185625A1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-08-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEONG-MO YIM;KENNETH KYONGYUP O;

    申请/专利号US20050575008

  • 发明设计人 KENNETH KYONGYUP O;SEONG-MO YIM;

    申请日2005-09-12

  • 分类号H01L27/06;H01L29/93;H03K17/567;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 20:12:43

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