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METHODS AND APPARATUS FOR A SYNTHETIC ANTI-FERROMAGNET STRUCTURE WITH REDUCED TEMPERATURE DEPENDENCE

机译:降低温度依赖性的合成抗铁磁网结构的方法和装置

摘要

A synthetic antiferromagnet (SAF) structure includes a first ferromagnetic layer (210), a first insertion layer (208), a coupling layer (206), a second insertion layer (204), and a second ferromagnetic layer (202). The insertion layers comprise materials selected such that SAF exhibits reduced temperature dependence of antiferromagnetic coupling strength. The insertion layers may include CoFe or CoFeX alloys. The thickness of the insertion layers (208, 204) is selected such that they do not increase the uniaxial anisotropy or deteriorate any other properties.
机译:合成反铁磁体(SAF)结构包括第一铁磁层(210),第一插入层(208),耦合层(206),第二插入层(204)和第二铁磁层(202)。插入层包括选择的材料,使得SAF对反铁磁耦合强度的温度依赖性降低。插入层可以包括CoFe或CoFeX合金。选择插入层(208、204)的厚度,使得它们不会增加单轴各向异性或不会恶化任何其他特性。

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