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LOW-VOLTAGE VOLTAGE FOLLOWER CIRCUIT

机译:低电压跟随电路

摘要

PPROBLEM TO BE SOLVED: To provide a voltage follower circuit stably operated with a high accuracy even under a low power-supply voltage. PSOLUTION: Sources for PMOS load transistors P1 and P2 are both connected to a power supply VDD. A PMOS cascode transistor P3 with a gate connected to a first bias VbiasP is fitted to a drain for the PMOS load transistor P1 on the input Vin side. An NMOS cascode transistor N3 with the gate connected to a second bias VbiasN is fitted to the drain for the PMOS load transistor P2 on the output Vout side. PCOPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
机译:

要解决的问题:提供即使在低电源电压下也能稳定,高精度地工作的电压跟随器电路。

解决方案:PMOS负载晶体管P1和P2的源极都连接到电源VDD。具有连接到第一偏置VbiasP的栅极的PMOS共源共栅晶体管P3被装配到输入Vin侧的PMOS负载晶体管P1的漏极。栅极连接到第二偏置VbiasN的NMOS共源共栅晶体管N3被装配到输出Vout侧的PMOS负载晶体管P2的漏极。

版权:(C)2009,日本特许厅&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2008289066A

    专利类型

  • 公开/公告日2008-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;

    申请/专利号JP20070134271

  • 发明设计人 ARIKI TAKUYA;

    申请日2007-05-21

  • 分类号H03F3/45;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 19:41:36

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