要解决的问题:提供即使在低电源电压下也能稳定,高精度地工作的电压跟随器电路。
解决方案:PMOS负载晶体管P1和P2的源极都连接到电源VDD。具有连接到第一偏置VbiasP的栅极的PMOS共源共栅晶体管P3被装配到输入Vin侧的PMOS负载晶体管P1的漏极。栅极连接到第二偏置VbiasN的NMOS共源共栅晶体管N3被装配到输出Vout侧的PMOS负载晶体管P2的漏极。
版权:(C)2009,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2008289066A
专利类型
公开/公告日2008-11-27
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;
申请/专利号JP20070134271
发明设计人 ARIKI TAKUYA;
申请日2007-05-21
分类号H03F3/45;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:41:36