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AMORPHOUS SILICON THIN-FILM SOAR CELLS AND FABRICATION METHOD FOR THEREOF

机译:非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

A thin film silicon solar cell comprises a front transparent electrode, a p-type window layer, a buffer layer, an i-type absorber layer, an n-type layer and a metal rear electrode. The front transparent electrode is stacked on a transparent substrate. The p-type window layer is stacked on the front transparent electrode, and has a thickness in a range of 12 nm to 17 nm. The buffer layer is stacked on the p-type window layer, and has a carbon concentration in a range of 0.5 to 3.0 atomic % and a thickness in a range of 3 to 8 nm. The i-type absorber layer is stacked on the buffer layer. The n-type layer is stacked on the i-type absorber layer. The metal rear electrode is stacked on the n-type layer.
机译:薄膜硅太阳能电池包括前透明电极,p型窗口层,缓冲层,i型吸收层,n型层和金属后电极。前透明电极堆叠在透明基板上。 p型窗口层堆叠在前透明电极上,并且具有在12nm至17nm范围内的厚度。缓冲层堆叠在p型窗口层上,并且具有0.5至3.0原子%的碳浓度和3至8nm的厚度的缓冲层。 i型吸收层堆叠在缓冲层上。 n型层堆叠在i型吸收层上。金属后电极堆叠在n型层上。

著录项

  • 公开/公告号KR100895977B1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KISCO HOLDINGS CO. LTD.;

    申请/专利号KR20080033278

  • 发明设计人 MYONG SEUNG YEOP;

    申请日2008-04-10

  • 分类号H01L31/04;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:12:01

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