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Polysilicon break, comprises similar structure grown in siemens process, where structure contains pores, splices, fissures, crack and chasms

机译:多晶硅断裂,包括在西门子过程中生长的相似结构,该结构中包含孔,接头,裂缝,裂缝和裂口

摘要

The polysilicon break comprises a similar structure grown in the siemens process. The structure contains pores, splices, fissures, crack and chasms with 1-250 mms of break dimensions distribution and 0.7-1.0 of sphericity. An independent claim is also included for a method for manufacturing polysilicon break, which involves carrying out a cleaning of the silicon break in an oxidized washing solution.
机译:多晶硅断裂包括在西门子工艺中生长的相似结构。该结构包含孔隙,接头,裂缝,裂缝和裂缝,裂缝尺寸分布为1-250毫米,球形度为0.7-1.0。还包括用于制造多晶硅破损的方法的独立权利要求,该方法包括在氧化的洗涤溶液中进行硅破损的清洁。

著录项

  • 公开/公告号DE102008040231A1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 WACKER CHEMIE AG;

    申请/专利号DE20081040231

  • 发明设计人 PECH REINER;WOCHNER HANNS;

    申请日2008-07-07

  • 分类号C01B33/035;C01B33/037;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 19:09:06

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