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Method for determining the local emission profile of suprathermal electrons

机译:确定超热电子局部发射曲线的方法

摘要

The invention concerns a process for determining a local emissivity profile of suprathermal electrons coming from an ionized gas ring placed in a toric vessel, with the use of tomographic inversion by means of Bessel functions Jo of order 0 which exploits line-integrated measurements acquired by current real-time Hard-X-Ray diagnostics.
机译:本发明涉及一种用于确定来自置于复曲面容器中的离子化气体环的超热电子的局部发射率分布的方法,该方法利用借助于0阶贝塞尔函数Jo的层析成像反演来利用由电流获取的线积分测量值实时硬X射线诊断。

著录项

  • 公开/公告号DE602004011800T2

    专利类型

  • 公开/公告日2009-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 COMMISSARIAT A LENERGIE ATOMIQUE;

    申请/专利号DE20046011800T

  • 发明设计人

    申请日2004-12-22

  • 分类号H05H1;H05H1/12;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 19:08:22

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