首页> 外国专利> inn / inp / photosensibilisierte has analyzed nanostructured tio2 electrode

inn / inp / photosensibilisierte has analyzed nanostructured tio2 electrode

机译:inn / inp / photoensibilisierte分析了纳米结构的tio2电极

摘要

The present invention is a photosensitized electrode which absorbs sun light to obtain electron-hole pair. The photosensitized electrode is fabricated with simple procedure and has low cost. The electrode has excellent chemical resist to be applied in a solar cell device with enhanced sun-light absorbing ability. The present invention can be applied in an optoelectronic device or a hydrogen generator device, too.
机译:本发明是吸收太阳光以获得电子-空穴对的光敏电极。光敏电极的制备工艺简单,成本低廉。该电极具有优异的化学抗蚀剂,可用于具有增强的太阳光吸收能力的太阳能电池装置中。本发明也可以应用于光电装置或氢生成装置。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号