要解决的问题:提供一种将电荷级和泵级的主开关的导通电阻抑制到最小的方法,并提供一种电荷泵的集成电路。
解决方案:集成电路包括:充电阶段;泵级;每个级都有一个高压PMOS(HVPMOS)晶体管作为主开关;两组两个最小的HVPMOS晶体管串联在一起,作为具有固定体连接的体开关,其中最小HVPMOS晶体管小于主开关的晶体管。主开关的主体被同步切换到主开关的HVPMOS晶体管的电压节点,以迫使主体电压(V 版权:(C)2010,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2010098944A
专利类型
公开/公告日2010-04-30
原文格式PDF
申请/专利权人 DIALOG SEMICONDUCTOR GMBH;
申请/专利号JP20090237342
发明设计人 CANG JI;
申请日2009-10-14
分类号H02M3/07;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:00:51