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Method of producing a nanohole on a structure by removal of projections and anodic oxidation

机译:通过去除突起和阳极氧化在结构上产生纳米孔的方法

摘要

The present invention provides a method of producing a structure, which is capable of easily obtaining a structure of the nanometer scale by using an anodic oxidation method. A method of producing a structure with a hole includes: forming first projected structures regularly arranged on a substrate; forming a first anodic oxidating layer on the substrate having the first projected structures, thereby forming first recessed structures at center portions of cells formed by the projected structures on the anodic oxidating layer; removing the first projected structures to form holes; and subjecting the first anodic oxidating layer to anodic oxidation to form holes at positions of the first recessed structures.
机译:本发明提供一种制造结构的方法,其能够通过使用阳极氧化方法容易地获得纳米级的结构。一种制造具有孔的结构的方法,包括:形成规则地布置在基板上的第一突出结构;在具有第一突起结构的基板上形成第一阳极氧化层,从而在由阳极氧化层上的突起结构形成的单元的中心部分形成第一凹陷结构。移除第一投影结构以形成孔;对第一阳极氧化层进行阳极氧化,以在第一凹陷结构的位置处形成孔。

著录项

  • 公开/公告号US7651736B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-01-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AYA IMADA;TORU DEN;

    申请/专利号US20070766908

  • 发明设计人 AYA IMADA;TORU DEN;

    申请日2007-06-22

  • 分类号B05D3/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:49:13

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