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High-speed interface for high-density flash with two levels of pipelined cache

机译:具有两级流水线式高速缓存的高速接口,用于高密度闪存

摘要

A memory circuit and a method of operating a flash or EEPROM device that has two levels of internal cache. A memory device having a memory array, sense amplifiers, a data register, cache, an input-output circuit, and a control logic circuit is configured to output data while simultaneously reading data from the memory array to the data register or simultaneously copying data from the data register to a first level of internal cache. In addition, the memory device is configured to output data while simultaneously writing data from the data register to the memory array.
机译:具有两级内部高速缓存的存储器电路和操作闪存或EEPROM设备的方法。具有存储器阵列,读出放大器,数据寄存器,高速缓存,输入输出电路和控制逻辑电路的存储器设备被配置为输出数据,同时将数据从存储器阵列读取到数据寄存器或同时从存储器阵列复制数据。数据寄存器到内部高速缓存的第一级。另外,存储装置被配置为在输出数据的同时将数据从数据寄存器写入存储阵列。

著录项

  • 公开/公告号US7640398B2

    专利类型

  • 公开/公告日2009-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 VIJAY P. ADUSUMILLI;

    申请/专利号US20050178713

  • 发明设计人 VIJAY P. ADUSUMILLI;

    申请日2005-07-11

  • 分类号G06F12/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:47:40

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