首页> 外国专利> İleri Teknoloji Uygulamaları için Küçük Dielektrik Sabitli K

İleri Teknoloji Uygulamaları için Küçük Dielektrik Sabitli K

机译:介电常数小的K用于先进技术应用

摘要

Bu buluş küçük dielektrik sabitli (küçük-k), kriptokristallerin mikroelektronik entegre devre tabanları üzerinde sentezlenemsi yöntemi ilekriptokristallerin nanoyapılara dönüştürülmesi ve bu süreç sonucu elde edilen kristallerle gerçekleştirilen optik ve elektronik aygıt ve sistemlere ilişkindir.Sentezleme işleminde, buhar fazı yüzey aşındırma yöntemi ile (CVP), silisyum yüzeyinin kristal yapısı ve bileşimi değişikliğe uğratılarak, homojen ve entegre devre tabanıyla kaliteli arayüz oluşturan kriptokristal üretilmiştir.Bu yöntemle, büyüme hızı 1 micrometre/saat olan dielektrik kriptokristal yapı oluşumu gerçekleştirilmiştir.Bu yöntem sonucu oluşturulanNanoteller 1000 nanometreye varançapları ve 50 mikrometre'ye varan uzunluklara sahiptirler.Kriptokristaller, nanoteller ve oraganize yapılar, mikroişlemcilerde performans yükseltici arametal yalıtkanı, yoğun bilgi depolama alanında hafıza hücreleri ve bilgi güvenliği alanında tek yönlü fonksiyon üreticisi olarak ve ayrıcaDEVAMI VAR
机译:本发明涉及在介电常数小的(k值)小的微电子集成电路基体上合成隐晶体,将加密的晶体转换成纳米结构以及由该过程获得的晶体实现的光学和电子器件及系统的方法。在合成过程中,气相表面蚀刻法(CVP)。通过改变硅表面的晶体结构和组成,可以制造出与均质的集成电路基底形成高质量界面的隐晶,通过这种方法,可以得到生长速度为1微米/小时的电介质隐晶结构,这种方法形成的纳米线直径可达1000纳米至50微米。隐晶,纳米线和组织结构,微处理器中增强性能的arametal绝缘体,密集数据存储区中的存储单元以及信息安全中的单向函数发生器,以及

著录项

  • 公开/公告号TR200500923A2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TUERKIYE BILIMSEL VE TEKNIK ARASTIRMA KURUMU;

    申请/专利号TR20050000923

  • 发明设计人 PROF.DR. SEREF KALEM;

    申请日2005-03-16

  • 分类号B82B3/00;H01L33/16;

  • 国家 TR

  • 入库时间 2022-08-21 18:44:58

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号