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TARGETING PLASMA INJECTOR CAPABLE OF INJECTING AN ION ONLY INTO A TARGET WAFER

机译:目标等离子体注入器,仅能将离子注入目标晶片

摘要

PURPOSE: A targeting type plasma injector is provided to prevent the excessive injection of an ion by preventing the ion from being injected into a wafer except for a target.;CONSTITUTION: A wafer drive part(120) is included inside a chamber(110). The wafer drive part sequentially drives a loaded wafer(W) to a target location. A plasma generation part(130) is included in one side of the wafer drive part. The plasma generation part generates and transfers plasma into a target wafer. A shielding part(140) shields the remaining area except for the target wafer where an ion is inserted. The shielding part comprises a protrusion member(144) in order to protect the target wafer.;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供一种靶向型等离子体注入器,通过防止将离子注入到目标以外的晶片中来防止离子的过量注入。组成:晶片驱动部件(120)包含在腔室(110)内。晶片驱动部将装载的晶片(W)依次驱动到目标位置。等离子体产生部分(130)包括在晶片驱动部分的一侧。等离子体产生部分产生等离子体并将其转移到目标晶片中。遮蔽部(140)遮蔽除离子注入对象晶片以外的其余区域。屏蔽部分包括用于保护目标晶片的突出构件(144)。; COPYRIGHT KIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20100113324A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-10-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LIGADP CO. LTD.;

    申请/专利号KR20090031831

  • 发明设计人 JEONG JIN YEOL;YOUN JONG WEON;

    申请日2009-04-13

  • 分类号H01L21/265;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:31:43

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