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Symmetrical surfaces of a bipolar transistor design for manufacturing processes in the low submicrometer range

机译:用于低亚微米范围的制造工艺的双极晶体管设计的对称表面

摘要

Bipolar junction transistor with:a plurality of base terminal bearing rings, which an emitter terminal ring between in each case two base connection rings of the plurality of base connection rings have; anda collector terminal ring, the plurality of base connection rings and the emitter terminal ring surrounds.
机译:一种双极结型晶体管,其具有:多个基极端子轴承环,所述发射极端子环分别在所述多个基极端子的两个基极端子之间具有发射极端子环。集电极端子环,多个基极连接环和发射极端子环包围。

著录项

  • 公开/公告号DE112007002213T5

    专利类型

  • 公开/公告日2010-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE20071102213T

  • 发明设计人

    申请日2007-09-20

  • 分类号H01L29/73;H01L21/8222;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 18:29:03

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