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new coating for a magnettunnelu00fcbergangsvorrichtung strengthening of dr / r and manufacturing method for it

机译:一种新型的用于加强磁道的涂层及其制造方法

摘要

An MTJ in an MRAM array or TMR read head is disclosed in which a low magnetization capping layer is a composite having a NiFeHf inner layer formed on a NiFe or CoFeB/NiFe free layer, a Ta middle layer, and a Ru outer layer on the Ta layer. For example, a low magnetization NiFeHf layer is achieved by co-sputtering NiFe and Hf targets with a forward power of 400W and 200W, respectively. A higher Hf content increases the oxygen gettering power of the NiFeHf layer and the thickness is modified to change dR/R, RA, and magnetostriction values. A so-called dead layer between the free layer and capping layer is substantially reduced by incorporating a NiFeHf layer on the free layer to improve lattice matching. The Fe content in the NiFe target used to make the NiFeHf layer is preferably the same as in the NiFe free layer.
机译:公开了一种在MRAM阵列或TMR读取头中的MTJ,其中低磁化覆盖层是具有在NiFe或CoFeB / NiFe自由层上形成的NiFeHf内层,Ta中间层和Ru外层上的RuFe的复合物。钽层。例如,通过分别以400W和200W的正向功率共同溅射NiFe和Hf靶来实现低磁化NiFeHf层。较高的Hf含量会增加NiFeHf层的吸氧能力,并更改厚度以改变dR / R,RA和磁致伸缩值。通过在自由层上掺入NiFeHf层以改善晶格匹配,可以大大减少自由层和覆盖层之间的所谓死层。用于制造NiFeHf层的NiFe靶中的Fe含量优选与无NiFe层中的Fe含量相同。

著录项

  • 公开/公告号DE602007003641D1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MAGIC TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号DE20076003641T

  • 发明设计人 HORNG CHENG T.;TONG RU-YING;

    申请日2007-07-30

  • 分类号H01L43/08;G11B5/39;G11C11/16;H01F10/30;H01L27/22;H01L43/12;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 18:27:16

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