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The aluminum film where it offers

机译:提供铝膜

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a semiconductor device which includes a surface treatment capable of effectively removing a working residue on an aluminum film surface without producing corrosion.;SOLUTION: The manufacturing method of a semiconductor device includes a surface treatment which exposes an aluminum film (13) formed on a semiconductor substrate and removes a working residue remained on the surface of the exposed aluminum film (131), wherein the surface treatment treats the exposed aluminum film (13) with a chemical containing an anion and then treats it with alkaline chemical.;COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种半导体器件的制造方法,该方法包括能够有效去除铝膜表面上的工作残留物而不会产生腐蚀的表面处理。暴露在半导体衬底上形成的铝膜(13)并去除残留在暴露的铝膜(131)表面上的工作残渣,其中表面处理用含有阴离子的化学物质处理暴露的铝膜(13),然后用碱性化学药品处理。;版权所有:(C)2007,日本特许会计师事务所

著录项

  • 公开/公告号JP4734090B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社東芝;

    申请/专利号JP20050317704

  • 发明设计人 魚住 宜弘;平山 孝司;釘田 明;

    申请日2005-10-31

  • 分类号H01L21/304;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/3205;H01L23/52;H01L21/768;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 18:20:09

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