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Method of accurate prediction of electrostatic discharge (ESD) performance in multi-voltage environment

机译:准确预测多电压环境下静电放电(ESD)性能的方法

摘要

The present invention relates generally to semiconductor wafer fabrication and more particularly but not exclusively to predictive, pre-fabrication methodologies for determining inefficiencies in an integrated circuit (IC) design. The present invention, in one or more implementations, provides an effective pre-production methodology for predicting the efficiency and behavior of a designed ESD protective circuit and testing the ESD protective circuit with a simulated IC. The method of the present invention yields predictive results that have been comparatively tested.
机译:本发明总体上涉及半导体晶片制造,并且更具体地但不排他地涉及用于确定集成电路(IC)设计中的低效率的预测性,预制方法。在一个或多个实施方式中,本发明提供了一种有效的预生产方法,用于预测所设计的ESD保护电路的效率和行为,并利用模拟IC来测试ESD保护电路。本发明的方法产生了经过比较测试的预测结果。

著录项

  • 公开/公告号US7987085B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-07-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 S. M. SOHEL IMTIAZ;

    申请/专利号US20080032624

  • 发明设计人 S. M. SOHEL IMTIAZ;

    申请日2008-02-15

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:10:16

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