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SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CAPABLE OF IMPROVING THE RELIABILITY OF A DATA READ-OUT PROCESS, AND A DATA READ-OUT METHOD THEREOF

机译:能够提高数据读出过程的可靠性的半导体存储器及其数据读出方法

摘要

PURPOSE: A semiconductor memory device and a data read-out method thereof are provided to improve the reliability of read-out data by confirming errors of read-out data from the outside.;CONSTITUTION: A global data bus(GIO1) transmits first data and second data. An error detecting part(20) comprises a latch part and an error measuring part. The latch part latches the first data and the second data in response to a latch control signal. An error measuring part generates a first error detection bit and a second error detection bit by measuring the errors of data bits transmitted from the latch part. A first data output part(30) serially mixes the first data with a first error detection bit. A second data output part(40) serially mixes second data with a second error detection bit.;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供一种半导体存储器件及其数据读出方法,以通过确认来自外部的读出数据的错误来提高读出数据的可靠性。组成:全局数据总线(GIO1)传输第一数据和第二个数据。错误检测部分(20)包括闩锁部分和错误测量部分。锁存部分响应于锁存控制信号锁存第一数据和第二数据。误差测量部分通过测量从锁存部分发送的数据位的误差来产生第一误差检测位和第二误差检测位。第一数据输出部分(30)将第一数据与第一检错位串行混合。第二数据输出部分(40)将第二数据与第二错误检测位串行混合。; COPYRIGHT KIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20110016143A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-02-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20090073691

  • 发明设计人 SONG CHOUNG KI;

    申请日2009-08-11

  • 分类号G11C7/10;G11C29/42;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:52:33

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