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PLASMA CVD APPARATUS CONDUCTING SELF-CLEANING AND METHOD OF SELF-CLEANING

机译:进行自清洁的等离子体化学汽相淀积装置及自清洁方法

摘要

A plasma CVD apparatus conducting self-cleaning comprises a reaction chamber, a susceptor, a showerhead, a temperature controlling mechanism for directly controlling the temperature of the showerhead at a temperature of 200°C to 400°C, a remote plasma discharge device provided outside the reaction chamber, and a radio-frequency power source electrically connected to either of the susceptor or the showerhead.
机译:进行自清洁的等离子体CVD装置包括反应室,基座,喷头,直接控制喷头温度在200℃至400℃之间的温度控制机构,设置在外部的远程等离子体放电装置反应室,以及与基座或莲蓬头电连接的射频电源。

著录项

  • 公开/公告号KR101024891B1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20020074386

  • 发明设计人 후쿠다히데아끼;

    申请日2002-11-27

  • 分类号H01L21/205;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:50:25

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