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Use of the specific resistance measurement for indirect determination of the purity of silanes and germanes and a corresponding method

机译:使用电阻率测量法间接确定硅烷和锗烷的纯度以及相应的方法

摘要

The present invention relates to a method for the indirect determination of the purity of silanes and germanics using a device for measuring the specific resistance. The invention further relates to a plant for the industrial production and / or filling of silanes or germanics including a quality control in which a device for measuring the specific resistance is used.
机译:本发明涉及一种使用测量电阻率的装置间接确定硅烷和锗烷的纯度的方法。本发明还涉及用于工业生产和/或填充硅烷或锗烷的设备,其包括质量控制,其中使用用于测量电阻率的装置。

著录项

  • 公开/公告号DE102010002342A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 EVONIK DEGUSSA GMBH;

    申请/专利号DE20101002342

  • 发明设计人

    申请日2010-02-25

  • 分类号G01R27/02;G01N27/04;H01L21/205;C30B25/02;C23C16/24;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 17:47:27

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