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METHOD FOR CALCULATING SURFACE ENERGY OF IONIC CRYSTAL AND METHOD FOR EVALUATING CRYSTAL GROWTH DIRECTION OF IONIC CRYSTAL

机译:离子晶体表面能的计算方法和离子晶体的晶体生长方向评估方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for simply comparing the magnitudes of the surface energy of an ionic crystal and to provide a method for evaluating the growth direction of an ionic crystal.;SOLUTION: The problem can be solved by assigning in an ionic crystal possessing a pair of sufficiently broad surfaces and a sufficient thickness a corrected charge and a formal charge to each ion appearing on the surfaces and each ion situated inside the crystal, respectively and by evaluating the energy of a structure of the ionic crystal having the pair of the surfaces by using the Ewald method. By thus specifying the surface with the lowest energy, the direction of the crystal growth of the ionic crystal can be predicted.;COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT
机译:要解决的问题:提供一种简单地比较离子晶体的表面能大小的方法,并提供一种评估离子晶体的生长方向的方法。;解决方案:可以通过分配离子来解决该问题。具有一对足够宽的表面和足够厚度的晶体,分别对出现在表面上的每个离子和位于晶体内部的每个离子校正电荷和形式电荷,并通过评估具有该对的离子晶体的结构能使用Ewald方法对表面进行处理。通过这样指定具有最低能量的表面,可以预测离子晶体的晶体生长方向。;版权所有:(C)2012,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2012082094A

    专利类型

  • 公开/公告日2012-04-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD;

    申请/专利号JP20100228640

  • 发明设计人 HIROHASHI TAKUYA;

    申请日2010-10-08

  • 分类号C30B1/04;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:41:24

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