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Single Wall Carbon Nanotubes By Atmospheric Chemical Vapor Deposition

机译:大气化学气相沉积法制备单壁碳纳米管

摘要

The present disclosure provides for systems and methods for producing carbon nanotubes. More particularly, the present disclosure provides for improved systems and methods for producing single wall carbon nanotubes (SWNTs) by chemical vapor deposition (CVD) using a carbon source in the presence of a catalyst. In exemplary embodiments, the present disclosure provides for improved systems and methods for producing single wall carbon nanotubes (SWNTs) by chemical vapor deposition (CVD) using carbon monoxide (CO) disproportionation in the presence of a catalyst composition on a catalyst support material. In one embodiment, the present disclosure provides for systems and methods for producing single wall carbon nanotubes (SWNTs) by chemical vapor deposition (CVD) using carbon monoxide (CO) disproportionation with CO pressure from about 0.20 atm to about 1.0 atm in the presence of a cobalt/molybdenum catalyst composition on a magnesium oxide catalyst support.
机译:本公开提供了用于生产碳纳米管的系统和方法。更具体地,本公开提供了用于在催化剂的存在下使用碳源通过化学气相沉积(CVD)来生产单壁碳纳米管(SWNT)的改进的系统和方法。在示例性实施方案中,本公开提供了用于在催化剂载体材料上存在催化剂组合物的情况下使用一氧化碳(CO)歧化通过化学气相沉积(CVD)来生产单壁碳纳米管(SWNT)的改进的系统和方法。在一个实施方案中,本公开提供了用于通过化学气相沉积(CVD)使用一氧化碳(CO)歧化在约0.20atm至约1.0atm的CO压力下生产单壁碳纳米管(SWNT)的系统和方法。氧化镁催化剂载体上的钴/钼催化剂组合物。

著录项

  • 公开/公告号US2012156124A1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-06-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AMIT GOYAL;IQBAL ZAFAR;

    申请/专利号US20080029856

  • 发明设计人 AMIT GOYAL;IQBAL ZAFAR;

    申请日2008-02-12

  • 分类号D01F9/12;B82B1/00;B82B3/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:34:05

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